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Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

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