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Toshiba DTMOSIV TK20V60W5,LVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 156 W, 5-Pin DFN

About The : 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Toshiba DTMOSIV TK20V60W5,LVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 156 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba DTMOSIV TK20V60W5,LVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 156 W, 5-Pin DFN

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Specifications of Toshiba DTMOSIV TK20V60W5,LVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 156 W, 5-Pin DFN

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