reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin

About The 18Zoll, Durchmesser: 9.65A/W, Polarität: Umgekehrt, Regelanstiegszeit: 12ns, MPN: PIN-5D

OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min.: 350nm, Wellenlänge max.: 1100nm, Höhe über Panel: 0.18Zoll, Durchmesser: 9.14mm, Spitzenphotosensibilität: 0.65A/W, Polarität: Umgekehrt, Regelanstiegszeit: 12ns, MPN: PIN-5D

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fotodioden

OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin

More from OSI Optoelectronics, OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge Min.: 350nm, Wellenlänge Max.: 1100nm, Höhe über Panel: 0.18Zoll, Durchmesser: 9.14mm, Spitzenphotosensibilität: 0.65A/W, Polarität: Umgekehrt, Regelanstiegszeit: 12ns, MPN: PIN-5D
Search

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fotodioden

Specifications of OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin

Category
Instockinstock

Last Updated

OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
More Varieties

Rating :- 9.78 /10
Votes :- 41
Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 220 nH 300mA AEC-Q200, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, Tiefe: 0.8mm, MPN: 7447860222G

Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 220 nH 300mA AEC-Q200, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, Tiefe: 0.8mm, MPN: 7447860222G

6mm.Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 220 nH 300mA AEC-Q200, 0603 (1608M) Gehäuse 1.

    • Vishay MBB0207 Dünnschicht Widerstand 9.1Ω ±1% / 0.6W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MBB02070C9108FCT00
    • Hammond Enclosure; Steel; 10 in.; 6 in.; 10 in.; Gray Powder; Wall Mount; Gray; Type 1, MPN: CHKO10106
    • Infineon HEXFET IRF1404ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Infineon HEXFET IRF1404ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C