Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |