reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

About The : 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC
More Varieties

Rating :- 9.81 /10
Votes :- 39