Vishay SI4178DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC
About The .: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay SI4178DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4178DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Vishay SI4178DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 5 W, 8-Pin SOIC | |
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