Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 6
Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 440 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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