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Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

About The : +175 °C.: -20 V, +20 V, Länge: 10

Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.58mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
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Siemens RT Befestigungsschelle für Relais Serie RT, Zur Verwendung mit: Siemens Relais Serie RT, MPN: LZS:RT17016
    • SMC AS R1/8 Außengewinde Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 10mm 1MPa, Eingangsanschluss Typ: Mit Gewinde, Ausgangsdruck (min.): 0.1MPa, MPN: AS2201FS-01-10S
    • Hutchinson Le Joint Français O-Ring Gummi: NBR PC851, Innen-Ø 0.74mm / Außen-Ø 2.74mm, Stärke 1mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C, MPN: 100100
    • Eaton LS-Schalter, 4A, 3+N-p, K-Char, FAZ-K4/3N, MPN: 279008

    Eaton LS-Schalter, 4A, 3+N-p, K-Char, FAZ-K4/3N, MPN: 279008

    Eaton LS-Schalter, 4A, 3+N-p, K-Char, FAZ-K4/3N.

    • STMicroelectronics Spannungsregler 2A, 1 Linearregler HTSSOP, 16-Pin, Einstellbar, Ausgangsspannung: 0,85→ 38 V, Montage-Typ: SMD, Polarität: Negativ, Ruhestrom: 100µA, Abmessungen: 5.1 x 4.5 x 1.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangsspannung min.: 4 V, MPN: L6986TR
    • DiodesZetex TVS-Diode Uni-Directional Einfach 93.6V 64.4V min., 2-Pin, SMD 58V max DO-214AC (SMA), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 400W, Impulsspitzen-Strom max.: 4.3A, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Abmessungen: 4.6 x 2.92 x 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SMAJ58A-13-F
    • Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.58mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Vishay SUM45N25-58-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.58mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Vishay SUM45N25-58-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C