reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

About The : 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)
More Varieties

Rating :- 9.59 /10
Votes :- 38
Nexperia CMOS-Inverter, Puffer, Inverter CMOS, Schmitt-Trigger, CMOS Dual 110 ns @ 50 pF, SC-88, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Schmitt-Trigger-Eingang: Ja, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -5.2mA, Montage-Typ: SMD, Pinanzahl: 6, Logikfamilie: HC, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Arbeitsspannnung max.: 6 V, MPN: 74HC2G04GW,125
    • Chauvin Arnoux C.A 1246 Thermohygrometer, absolut +140 °F, +60 °C / 98%RH, 0,5 °C 0.1 °C, 0.1 °F 0.1%, ISO-kalibriert, Feuchtemessgenauigkeit max.: ±2 % (10 → 90 % RL), ±4 % (Außenbereich), Taupunktmessung: Ja, Geräteart: Digital, Kalibriert: ISOCAL, Schnittstellentyp: Bluetooth, USB, Wireless, Funktionen: Alarm, Automatische Abschaltung, Hintergrundbeleuchtung, Datenspeicherung, Min-Max-Halten, Aufzeichnen, Stromversorgung: Batterie, Batterietyp: 1.5 V AA/LR6 Alkali-Akku, Batterie-Einsatzdauer: 1000 h, MPN: CA1246
    • Schneider Electric Gehäuse für GV2ME, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: GV2MP03
    • FLIR ONE PRO Android for Smartphones Wärmebildkamera Auto-Fokus 160 x 120Pixel, -20→ +400 °C / 70mK, Anzeigenauflösung: 1440 x 1080Pixel, Temperatur Messgenauigkeit max.: ±3 °C, Fokustyp: Automatisch, manuell, Wiederholrate: 8.7Hz, Fokussierabstand min.: 150mm, Anwendung: Elektrik-Probleme, Haushalt- und Gebäudeinstpektion Klimatechnik und Sanitär, Abmessungen (L x B x T): 67 x 34 x 14mm, Schnittstellentyp: USB-C, Brennweite min.: 150 mm, Gewicht: 36.5g, MPN: FLIR One Pro ANDROID USB-C
    • Cree LED CXA2 CoB-LED, 36 V, 3000K, 5031 lm, 5380 lm, Weiß, 2100mA, 23.85 x 23.85 x 1.7mm, 19mm, 79W, 115°, Ra 80, MPN: CXB2540-0000-000N0HW230G
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 1.24kΩ ±0.1% / 0.125W ±15ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA6APB1241V
    • Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220.

    • Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS™ P7 IPP80R450P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220.

    • Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si