Toshiba TK TK11A65W,S5X(M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 390 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TK TK11A65W,S5X(M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TK TK11A65W,S5X(M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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