Infineon HEXFET AUIRF7675M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 18 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,056 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon HEXFET AUIRF7675M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 18 A DirectFET ISOMETRISCH
Specifications of Infineon HEXFET AUIRF7675M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 18 A DirectFET ISOMETRISCH | |
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