Infineon OptiMOS IPD50N06S409ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS IPD50N06S409ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS IPD50N06S409ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,009 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS IPD50N06S409ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS IPD50N06S409ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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