ROHM SCT3120ALGC11 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max.: 158,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 22 V, Länge: 16mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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ROHM SCT3120ALGC11 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N
Specifications of ROHM SCT3120ALGC11 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N | |
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