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ROHM UMT1NTN SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 140 MHz, UMT 6-Pin

About The : 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 0

ROHM UMT1NTN SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 mA 140 MHz, UMT 6-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 0.9 x 2 x 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

ROHM UMT1NTN SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 140 MHz, UMT 6-Pin

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Specifications of ROHM UMT1NTN SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 MA 140 MHz, UMT 6-Pin

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