Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC | |
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