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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

About The : 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236), Drain-Source-Widerstand max.: 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23
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Amphenol Industrial connector comp,insert only,size 24,blue insul,16 #16 solder cup socket contact, MPN: 97-24-5S

Amphenol Industrial connector comp,insert only,size 24,blue insul,16 #16 solder cup socket contact, MPN: 97-24-5S

Amphenol Industrial connector comp,insert only,size 24,blue insul,16 #16 solder cup socket contact.

    • Legrand Trenntransformator, 100VA, Primär 230 → 400V / Sekundär 115 → 230V, Abmessungen: 192 x 92 x 112mm, MPN: 0 425 11
    • ABB FUNKENKAMMERN ZW185 F. SCHUETZE A145-A18

    ABB FUNKENKAMMERN ZW185 F. SCHUETZE A145-A18

    SCHUETZE A145-A18, MPN: 1SFN164710R1000.ABB FUNKENKAMMERN ZW185 F.

    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 371mm / Außen-Ø 378mm, Stärke 3.5mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C
    • TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 3.3kΩ ±5% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, MPN: 35223K3JT
    • Keysight Technologies N5761A 3-Kanal Programmier Labornetzgerät 1.08kW, 6V / 180A, Serie: N5700, Tischnetzteilart: Programmierbares Gleichspannungsnetzteil
    • Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236), Drain-Source-Widerstand max.: 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm
    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 340mm / Außen-Ø 347mm, Stärke 3.5mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C
    • Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236), Drain-Source-Widerstand max.: 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm
    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 340mm / Außen-Ø 347mm, Stärke 3.5mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C