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IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 500 W, 3-Pin TO-247

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IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 500 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 49 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 500 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 500 W, 3-Pin TO-247

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IXYS HiperFET, Polar IXFH69N30P N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 500 W, 3-Pin TO-247
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