Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220
About The : 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max
onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
