Infineon OptiMOS P IPP120P04P4L03AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 5,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon OptiMOS P IPP120P04P4L03AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS P IPP120P04P4L03AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220 | |
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