STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.15mm
STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 20.15mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247 | |
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