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Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,036 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,036 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon HEXFET IRF1310NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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