Onsemi UniFET FDB15N50 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi UniFET FDB15N50 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
onsemi UniFET FDB15N50 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UniFET FDB15N50 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Onsemi UniFET FDB15N50 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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