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Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 X 3S

About The Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 X 3S

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Specifications of Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 X 3S

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Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR3L 800MHz 16bit Bits/Wort 20ns FBGA 96-Pin, 1,283 V bis 1,45 V, MPN: AS4C32M16D3L-12BIN

Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR3L 800MHz 16bit Bits/Wort 20ns FBGA 96-Pin, 1,283 V bis 1,45 V, MPN: AS4C32M16D3L-12BIN

Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR3L 800MHz 16bit Bits/Wort 20ns FBGA 96-Pin, 1,283 V bis 1,45 V.

    • Siemens 5TG Wippschalter, Bündig-Montage IP 20, 2 Wege, 230V Weiß, Kunststoff, Material: Thermoplast, Höhe: 65mm, MPN: 5TG7805
    • Alpha Wire 2258/3 Steuerkabel, 3-adrig x 0,75 mm² Grau, 1000ft, 18 AWG, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Mantelmaterial: PVC, MPN: 2258/3 SL001
    • Littelfuse IXFH36N60X3 N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 600 V / 36 A, 3-Pin TO-247

    Littelfuse IXFH36N60X3 N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 600 V / 36 A, 3-Pin TO-247

    Littelfuse IXFH36N60X3 N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 600 V / 36 A, 3-Pin TO-247.

    • Ohmite RESISTOR; 3.3 OHMS; 0.5 W; 5%; 350 V; AXIAL LEADED; 700 VAC; 0.029 IN., MPN: OF33GJE
    • RS PRO Aluminium Gehäuse Außenmaß 110 x 280 x 230mm IP65, IP66, IP67, IP68, Länge (Außen): 280 mm, Höhe (Außen): 110 mm, Deckelfarbe: Grau, Mit Flansch: Nein, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, IECEx, Serie: RJ
    • Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

    Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

    Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S.

    • onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte), MPN: NXH450B100H4Q2F2SG.

    • Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

    Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S

    Vishay SIZ260DT-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S.

    • onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte), MPN: NXH450B100H4Q2F2SG.onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max.