Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB | |
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