IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 KW, 4-Pin SOT-227
Specifications of IXYS HiperFET IXFN170N65X2 N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 170 A 1,17 KW, 4-Pin SOT-227 | |
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