Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 Mm (T-1)

Name: Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 Mm (T-1)? Broadcom
Brand: Broadcom
SKU: ABDV-26973
Price: 9.52 EUR
Availability: InStock

About The Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 mm (T-1), Lichtstärke: 680 mcd, Linsenform: Rund, Wellenlänge typ.2mm, MPN: HLMP-Y601-J0000

Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 mm (T-1), Lichtstärke: 680 mcd, Linsenform: Rund, Wellenlänge typ.: 627 nm, Abmessungen: 3 x 5.2mm, MPN: HLMP-Y601-J0000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > LEDs – Leuchtdioden > LEDs

RS PRO Schlauchanschluss 1-1/2Zoll 1-1/2Zoll-Gewinde Edelstahl Buchse 17 bar, Schlauch-Endverbindertyp: Nockenschlosskupplung, Verbinder Richtung: Gerade

Infineon HEXFET IRFR4105TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,045 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 Mm (T-1)
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Last Updated January 21st, 2025 09:16 am

Broadcom THT LED Rot 2 V, 45° 3 Mm (T-1)

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Adder KVM-Switch 4-Port DVI 1 Displays USB 233 x 115 x 44mm, Auflösung max.: 2048 x 1080, Tiefe: 115mm, Breite: 233mm, MPN: AV4PRO-DVI-UK

Adder KVM-Switch 4-Port DVI 1 Displays USB 233 x 115 x 44mm.

Samsung Electro-Mechanics Samsung, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 22pF / 50V dc, Gehäuse 0402, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: CL05C220JB51PNC

Samsung Electro-Mechanics Samsung, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 22pF / 50V dc, Gehäuse 0402.

Motovario 20:01 Schnecken Getriebe / 23 Nm, Ø 11 mm, Schaft-Ø 14mm, MPN: NMRV030 20,0 090*11 14 U MV

Motovario 20:01 Schnecken Getriebe / 23 Nm, Ø 11 mm, Schaft-Ø 14mm.

Infineon HEXFET IRFS3307ZTRRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineon HEXFET IRFS3307ZTRRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A, 3-Pin D2PAK (TO-263).

Infineon HEXFET IRFR825TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1.3 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon HEXFET IRFR825TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252).

Infineon HEXFET IRFR4105TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,045 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon HEXFET IRFR4105TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252).