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Onsemi UniFET FDP75N08A N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 75 A 137 W, 3-Pin TO-220AB

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi UniFET FDP75N08A N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 75 A 137 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi UniFET FDP75N08A N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 75 A 137 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Onsemi UniFET FDP75N08A N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 75 A 137 W, 3-Pin TO-220AB

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