Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz

Name: Wurth Elektronik | Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz, Gleichstromwiderstand Max.: 110mΩ, Abmessungen: 2.5 X 2 X 1mm, Tiefe: 2mm, Betriebstemperatur Max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur Min.: -40°C, Geschirmt: Nein, MPN: 74479787247
Brand: Wurth Elektronik
SKU: ABDV-273774
Price: 48.67 EUR
Availability: InStock

About The Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.: 110mΩ, Abmessungen: 2

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz, Gleichstromwiderstand max.: 110mΩ, Abmessungen: 2.5 x 2 x 1mm, Tiefe: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -40°C, Geschirmt: Nein, MPN: 74479787247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TE Connectivity THS50 Wickel Lastwiderstand 150mΩ ±5% / 50W, Alu Gehäuse Lötanschluss, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Technologie: Gewickelt, Anschlussart: Lötöse, Temperaturkoeffizient max.: -50ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +50ppm/°C, MPN: THS50R15J

ROHM Dickschicht Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: ESR25JZPJ222

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz
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Last Updated January 2nd, 2025 09:59 pm

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz

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Vishay Foil Resistors Vishay CSM Metallstreifen SMD-Widerstand 1mΩ ±0.5% / 3W ±25ppm/°C, 3637 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -65°C, Betriebstemperatur max.: +170°C, MPN: Y14880R00100D9R

5% / 3W ±25ppm/°C, 3637 Gehäuse.Vishay Foil Resistors Vishay CSM Metallstreifen SMD-Widerstand 1mΩ ±0.

Alpha Wire M13109 Steuerkabel, 9-adrig x 0,34 mm2 Grau, 500ft, 22 AWG, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Mantelmaterial: PVC, MPN: M13109 SL002

Alpha Wire M13109 Steuerkabel, 9-adrig x 0,34 mm2 Grau, 500ft, 22 AWG.

TE Connectivity AMPMODU HV190 Leiterplattenbuchse gewinkelt 12-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Buchsenleiste, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 12A, Kontaktmaterial: Bronze, MPN: 1-216602-2

TE Connectivity AMPMODU HV190 Leiterplattenbuchse gewinkelt 12-polig / 1-reihig, Raster 2.

Toshiba SSM3K7002FU(F) N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin USM, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Toshiba SSM3K7002FU(F) N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin USM.

STMicroelectronics 64kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SOIC, 900ns SMD 8-Pin, Arbeitsspannnung min.: 2,7 V, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Programmierspannung: 2.7 → 5.5V, Abmessungen: 5 x 4 x 1.5mm, Automobilstandard: AEC-Q100, Datenerhalt: 200Jahr, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: M24SR64-YMN6T/2

STMicroelectronics 64kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SOIC, 900ns SMD 8-Pin.

ROHM Dickschicht Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.66W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: ESR25JZPJ222

66W, 1210 (3225M) Gehäuse.2kΩ ±5% / 0.ROHM Dickschicht Widerstand 2.