Infineon OptiMOS 2 IPD78CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 31 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 2V, MPN: IPD78CN10N G.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon OptiMOS 2 IPD78CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 31 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 78 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: IPD78CN10N G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 IPD78CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 31 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS 2 IPD78CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 31 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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