Onsemi PowerTrench FDS6375 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The onsemi PowerTrench FDS6375 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: –8 V, +8 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1
onsemi PowerTrench FDS6375 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.5mm
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Onsemi PowerTrench FDS6375 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6375 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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