Infineon IPP075N15N3 G IPP075N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220
About The : 20 V, Länge: 10.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon IPP075N15N3 G IPP075N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPP075N15N3 G IPP075N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon IPP075N15N3 G IPP075N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
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