STMicroelectronics SCTW70N SCTW70N120G2V N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 3-Pin HiP247
About The : 0,021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4
STMicroelectronics SCTW70N SCTW70N120G2V N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCTW70N SCTW70N120G2V N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 3-Pin HiP247
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Specifications of STMicroelectronics SCTW70N SCTW70N120G2V N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 3-Pin HiP247 | |
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