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Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0.35mm

About The 35mm, Montagetyp: SMD, Seriennummer: 101R014FB110.Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0

Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0.35mm, Montagetyp: SMD, Seriennummer: 101R014FB110

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse > Leiterplattenbuchsen

Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0.35mm

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Specifications of Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0.35mm

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Amphenol ICC Amphenol Leiterplattenbuchse Vertikal 14-polig / 2-reihig, Raster 0.35mm
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Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 8-Kanal 6.5 V max. 16 Ausg.

Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 8-Kanal 6.5 V max. 16 Ausg.

5 V max.Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 8-Kanal 6.: 625mA, Gehäusegröße: PG-DSO36, MPN: ISO1I813TXUMA1., Betriebsstrom max.

    • RS PRO 9/16-18Zoll x 5Zoll Sechskantschraube, Stahl Mild Steel, Metrisch oder zöllig: zöllig

    RS PRO 9/16-18Zoll x 5Zoll Sechskantschraube, Stahl Mild Steel, Metrisch oder zöllig: zöllig

    RS PRO 9/16-18Zoll x 5Zoll Sechskantschraube, Stahl Mild Steel.

    • TDK MLF SMD-Mehrschicht-Induktivität, 220 nH 250mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 330MHz, Gleichstromwiderstand max.: 300mΩ, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.85mm, Tiefe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, MPN: MLF2012DR22KT000
    • onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : +150 °C, Gate-Ladung typ.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

    • onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : ±30 V, Länge: 10.onsemi NVB082N65S3F N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max. @ Vgs: 81 nC @ 10 V.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.