Infineon OptiMOS(TM)3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0135 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS(TM)3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS(TM)3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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