ROHM RE1J002YN RE1J002YNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416FL, Drain-Source-Widerstand max.: 9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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ROHM RE1J002YN RE1J002YNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75
Specifications of ROHM RE1J002YN RE1J002YNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75 | |
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