Toshiba TK TK32E12N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 13,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TK TK32E12N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Toshiba TK TK32E12N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220 | |
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