Onsemi NST30010MXV6G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin
About The : 270, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: -30 V, Basis-Emitter Spannung max
onsemi NST30010MXV6G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 mA 100 MHz, SOT-563 6-Pin, Verlustleistung max.: 661 mW, Gleichstromverstärkung min.: 270, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: -30 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, MPN: NST30010MXV6T1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi NST30010MXV6G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin
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Specifications of Onsemi NST30010MXV6G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin | |
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