onsemi PowerTrench FDS6912A N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 44 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Onsemi PowerTrench FDS6912A N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6912A N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC | |
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