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Infineon OptiMOS 3 BSC028N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

About The 2V, Gate-Schwellenspannung min.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS 3 BSC028N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 BSC028N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC028N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Infineon OptiMOS 3 BSC028N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
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