ROHM US6K1 US6K1TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 1 W, 6-Pin SOT-363
About The : 1.: 340 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM US6K1 US6K1TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 1 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 340 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM US6K1 US6K1TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 1 W, 6-Pin SOT-363
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Specifications of ROHM US6K1 US6K1TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 1 W, 6-Pin SOT-363 | |
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