Infineon HEXFET IRLB8314PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
About The 2V, Gate-Source Spannung max.2V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET IRLB8314PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLB8314PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET IRLB8314PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220AB | |
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