STMicroelectronics DM6 STW50N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,091 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V
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STMicroelectronics DM6 STW50N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics DM6 STW50N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A, 3-Pin TO-247 | |
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