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Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The : 0,0065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Specifications of Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Chinfa Akkuladegerät DIN-Schienen Netzteil 34W, 90 → 264V ac, 13.6V dc / 2.5A, Ausgangsspannung: 13.6V dc, Höhe: 91mm, Breite: 57mm, Lastausregelung: ±1%, Betriebsdauer: 668000h, Temperatur max.: +51°C, MPN: DBR30-12
    • Siemens SM 332 Analoges Modul für S7-300-Serie / 8 x Analog OUT, 125 x 40 x 120 mm, Reihe: SIMATIC, Versorgungsspannung: 24 V, Kabellänge: 200 (shielded)m, MPN: 6ES7332-5HF00-0AB0
    • Siemens SM 1221 Digitaler Ausgang für S7-300-Serie / 16 x Digital OUT, 125 x 40 x 120 mm, Reihe: SIMATIC, Versorgungsspannung: 230 V, Ausgangsstrom: 1 A, Kabellänge: 600 (Unshielded) m, 1000 (Shielded) m, MPN: 6ES7322-1FH00-0AA0
    • Murata Power Solutions 6000B Drosselspule, 68 μH 9A, 2720 Gehäuse 27mm / ±15%, 6.07MHz, Tiefe: 19.5mm, Höhe: 20mm, Abmessungen: 27 x 19.5 x 20mm, Gleichstromwiderstand max.: 17mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 60B683C
    • Showa Schneidfeste Handschuhe, Größe 10, XXL, Schneidfest, Elastan, Gelb, Handschuhbeschichtung: Nitrilschaum, EN 388 Abriebfestigkeit: 4, EN 388 Durchstichkraft: 2, EN 374 Schutzhandschuhe gegen Chemikalien: Nein, MPN: SHO45615
    • onsemi Spannungsüberwachung CAT811LTBI-GT3, Mikroprozessor-Netzteil-Monitor 4.5V SOT-143 4-Pin
    • Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max.

    • Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V
    • Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    45mm, MPN: BTS5090-1EJA., Betriebsstrom max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 180mΩ 28 V max.

    • Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V