STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : +150 °C.: 4
STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
