Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : 0,0061 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0061 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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