Vishay TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14.9 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0.0205 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
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Vishay TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14.9 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14.9 A, 8-Pin SO-8 | |
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