Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7

Name: Infineon - Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7
Brand: Infineon
SKU: ABDV-346910
Price: 56.17 EUR
Availability: InStock

About The Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7

Vishay Zenerdiode Einfach SMD 600V, DO-214AC 2-Pin, Zenertyp: Avalanche, MPN: BYG10J-E3/TR

Infineon BAS40 SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 40V / 120mA SOD-323, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: BAS140WE6327HTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7
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Last Updated January 17th, 2025 10:23 am

Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 18 A, 7-Pin TO-263-7

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Panasonic TP-A, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 35V dc, Ø 10mm x 16mm, bis 135°C, Kapazität: 220µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 16mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +135°C, Anschlussraster: 5mm, Lebensdauer: 2000 h, 3000 h, Automobilstandard: AEC-Q200, Äquivalenter Serienwiderstand: 130mΩ, Leckstrom: 77 μA, Polarisiert: Polar, MPN: EEUTP1V221

Panasonic TP-A, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 35V dc, Ø 10mm x 16mm, bis 135°C.

Souriau Sunbank by Eaton Souriau SMS Schwere Steckverbinder Stecker, Stecker 12-polig / 4-reihig, 220,0 V / 13A, Montagetyp: Durchsteckmontage, Schutzart: IP40, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Nickel Silber Legierung, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: SMS12GE6

Souriau Sunbank by Eaton Souriau SMS Schwere Steckverbinder Stecker, Stecker 12-polig / 4-reihig, 220,0 V / 13A.

Toko FDSD0420 Drosselspule, 10 μH 3.3A mit Eisenpulver-Kern, 0420 Gehäuse 4.2mm / ±20%, Abmessungen: 4.2 x 4.2 x 2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 200mΩ, Kernmaterial: Pulverbeschichtetes Eisen, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +100°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, MPN: FDSD0420-H-100M=P3

2mm / ±20%.3A mit Eisenpulver-Kern, 0420 Gehäuse 4.Toko FDSD0420 Drosselspule, 10 μH 3.

Vishay IRF9Z24SPBF MOSFET

Vishay IRF9Z24SPBF MOSFET.

Omron M18 Näherungssensor PNP 10→ 30 V, zylindrisch 5 mm, IP67, Sensortechnik: Induktiv, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M18 x 1, Anschlusstyp: Kabel, Länge: 30mm, Montagetyp: Bündig, Schnittstelle: IO-Link, MPN: E2EW-X5B318 2M

Omron M18 Näherungssensor PNP 10→ 30 V, zylindrisch 5 mm, IP67.

Molex 207019 Crimpabdeckung Buchse 4.2mm, 12-polig / 2-reihig Gerade, MPN: 2070190012

2mm, 12-polig / 2-reihig Gerade.Molex 207019 Crimpabdeckung Buchse 4.

Infineon BAS40 SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 40V / 120mA SOD-323, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: BAS140WE6327HTSA1

Infineon BAS40 SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 40V / 120mA SOD-323.