reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 1,55 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,55 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB

More from Onsemi, Onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand Max.: 1,55 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Search

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB
More Varieties

Rating :- 9.77 /10
Votes :- 42
Bourns SRR1280 Drosselspule, 47 μH 2.9A mit Ferrit DR und RI-Kern, 1280 Gehäuse 12.5mm / ±20%, 7.5MHz, Höhe: 7.5mm, Abmessungen: 12.5 x 12.5 x 7.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 80mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: SRR1280-470M
    • Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 15-polig / 1-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-15-F-SV-L-P

    Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 15-polig / 1-reihig, Raster 1.0mm, Ummantelt, MPN: T1M-15-F-SV-L-P

    0mm, Ummantelt.Samtec T1M Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 15-polig / 1-reihig, Raster 1.

    • CHEMI-CON LXZ, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 25V dc, Ø 12.5mm x 20mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 12.5 x 20mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Lebensdauer: 7000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 76mΩ, Leckstrom: 0,01 CV μA, 3 μA bei 20 °C (nach 2 min), Brummstrom: 1660mA eff., MPN: ELXZ250ELL102MK20S
    • HARWIN Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 10mm, Oben geschlossen, Ziehgriff, Gender: Female, Breite: 5mm, Tiefe: 2.4mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, Ausrichtung: Gerade, Kontaktwiderstand max.: 25mΩ, MPN: M7686-05
    • STMicroelectronics IGBT / 11 A ±20V max., 600 V 28 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 10.4mm, Breite: 4.6mm, Höhe: 16.4mm, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: STGF14NC60KD
    • onsemi QFET FQP9N90C N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,55 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • CHEMI-CON KXJ, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 250V dc, Ø 16mm x 35.5mm, bis 105°C, Kapazität: 220µF, Spannung: 250V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 x 35.5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 12000h, Leckstrom: 2300 μA, Brummstrom: 1125mA eff., MPN: EKXJ251ELL221MLP1S
    • onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,55 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • CHEMI-CON KXJ, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 250V dc, Ø 16mm x 35.5mm, bis 105°C, Kapazität: 220µF, Spannung: 250V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 x 35.5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 12000h, Leckstrom: 2300 μA, Brummstrom: 1125mA eff., MPN: EKXJ251ELL221MLP1S