Onsemi MJE5852G THT, PNP Transistor -400 V / -8 A, TO-220AB 3-Pin
About The : +150 °C.: 15, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max
onsemi MJE5852G THT, PNP Transistor -400 V / -8 A, TO-220AB 3-Pin, Verlustleistung max.: 80 W, Gleichstromverstärkung min.: 15, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 9.28 x 10.28 x 4.82mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJE5852G THT, PNP Transistor -400 V / -8 A, TO-220AB 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJE5852G THT, PNP Transistor -400 V / -8 A, TO-220AB 3-Pin | |
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