Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

Name: Infineon - Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin
Brand: Infineon
SKU: ABDV-357374
Price: 131.14 EUR
Availability: InStock

About The Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Spannungsüberwachung

Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

Schneider Electric MELDELEUCHTE GRÜN 24-28VACDC, MPN: 9001KP35G9

Siemens Sicherungseinsatz NH1, 500V / 35A, gG, Sicherungs Typ: LV HRC, MPN: 3NA6114

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Specifications of Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin
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Last Updated January 23rd, 2025 11:56 pm

Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

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Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8.

Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263).

MEAN WELL PSD 30 DC/DC-Wandler 25W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 5A 1.5kV ac isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Isoliert: Ja, Tiefe: 30mm, Länge: 101.6mm, Breite: 50.8mm, Lastausregelung: ±1%, Wirkungsgrad: 77%, MPN: PSD-30A-05

5kV ac isoliert.MEAN WELL PSD 30 DC/DC-Wandler 25W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 5A 1.

Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263).

Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Spannungsüberwachung

Specifications of Infineon ICE1HS01G1XUMA1 AC/DC-Leistungsumwandlung, Resonanzmodus-Controller, PG-DSO-8-13 8-Pin

Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

MEAN WELL PSD 30 DC/DC-Wandler 25W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 5A 1.5kV ac isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Isoliert: Ja, Tiefe: 30mm, Länge: 101.6mm, Breite: 50.8mm, Lastausregelung: ±1%, Wirkungsgrad: 77%, MPN: PSD-30A-05

Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 15A, 2-Pin TO-247, MPN: IDWD15G120C5XKSA1

Siemens Sicherungseinsatz NH1, 500V / 35A, gG, Sicherungs Typ: LV HRC, MPN: 3NA6114