Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon? Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 90 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Brand: Infineon
SKU: ABDV-357379
Price: 3690.19 EUR
Availability: InStock

About The Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4

Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

MEAN WELL PSD 30 DC/DC-Wandler 25W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 5A 1.5kV ac isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Isoliert: Ja, Tiefe: 30mm, Länge: 101.6mm, Breite: 50.8mm, Lastausregelung: ±1%, Wirkungsgrad: 77%, MPN: PSD-30A-05

Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 27th, 2025 11:05 pm

Infineon IPB60R IPB60R090CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Polymer Optics Linsenbaugruppe 6° x 11.35 mm, 12.3 mm, Produkt Typ: LED-Linse und -halter, Abmessungen: 14.9 x 12.9 x 11.35 mm, 17.55 x 15.2 x 12.3 mm, Set beinhaltet: Linse, Linsenhalterung, Länge: 14.9 mm, 17.55 mm, Breite: 12.9 mm, 15.2 mm, MPN: 120/151

Polymer Optics Linsenbaugruppe 6° x 11.3 mm.35 mm, 12.

Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay TrenchFET SISA04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8.